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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FF200R17KE4 200A 1700V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FF200R17KE4
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-28
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)說明
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V
集電極射極飽和電壓: 2.45 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 310 A
柵極射極漏泄電流: 100 nA
功率耗散: 1250 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
動(dòng)態(tài)有源鉗位電路的介紹
我們將有源鉗位的動(dòng)作門檻設(shè)置成動(dòng)態(tài)的 我們將有源鉗位的動(dòng)作門檻設(shè)置成動(dòng)態(tài)的,Vth1是高門檻,Vth2是低門檻。
在IGBT開通時(shí)刻,同步地將門檻降低為Vth2,在IGBT關(guān)斷后,延遲一段時(shí)間(約15~20us),然后將有源鉗位的動(dòng)作門檻提高到Vth1。
這樣IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)時(shí),其有源鉗位電路的動(dòng)作門檻電壓是有區(qū)別的。
這樣并不影響有源鉗位電路的本意,因?yàn)镮GBT在關(guān)斷瞬間,鉗位門檻是在Vth2。用低門檻對(duì)IGBT的關(guān)斷行為進(jìn)行防護(hù)。
如果母線電壓因?yàn)槟撤N原因而升高,IGBT在關(guān)斷態(tài)時(shí),鉗位電路的門檻處在高位,不會(huì)發(fā)生有源鉗位電路動(dòng)作這種方案能較好的解決某些應(yīng)用中很現(xiàn)實(shí)的問題,
是一種非常有競(jìng)爭力的解決方案。

SCALE-2原方芯片有2個(gè)重要的特點(diǎn):
1. 芯片的帶寬很高,可以響應(yīng)極高頻的信號(hào)。
這樣做可以使芯片組能支持 這樣做可以使芯片組能支持IGBT驅(qū)動(dòng)器的直接并聯(lián)使用 驅(qū)動(dòng)器的直接并聯(lián)使用,以及支持IGBT的串聯(lián)使用,或者說,為IGBT串聯(lián)提供一個(gè)重要的技術(shù)前提。
2. 芯片的INA及INB的輸入跳變電平比較低 的輸入跳變電平比較低。
雖然具有施密特特性,分別為2.6V及1.3V,但如果噪聲超過了這個(gè)數(shù)值,驅(qū)動(dòng)器也能響應(yīng)。
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